使用徠卡 DM750 P 偏光顯微鏡觀察塑料切片晶粒度，可參考以下方法：

樣品準備

切片制備：使用超薄切片機將塑料樣品切成厚度適宜的薄片，一般在 10 - 50 微米左右，以保證光線能夠透過。如果樣品是塊狀，需要先進行鑲嵌，例如使用環(huán)氧樹脂等材料將其固定，便于切片。

表面處理：切片完成后，可對切片表面進行拋光處理，以減少表面粗糙度對觀察的影響?？梢允褂媒鹣嗌凹堖M行逐級打磨，然后用拋光布和拋光液進行精細拋光。

顯微鏡設置

光源調(diào)整：開啟內(nèi)置 LED 光源，將亮度調(diào)節(jié)至 10%-20%，既能保護人眼，又能減少光漂白和對樣品的熱損傷。

偏光設置：旋轉(zhuǎn)起偏器至 0°，檢偏器至 90°，處于正交偏光狀態(tài)。此時觀察空白載玻片，應呈現(xiàn)全暗，以驗證偏光的正交性。

物鏡選擇：根據(jù)塑料切片的特性和觀察需求選擇合適的物鏡。2.5 倍概覽物鏡可用于快速定位晶區(qū)分布；10 - 40 倍物鏡適合觀察晶體的形態(tài)、大小及團聚狀態(tài)；63 倍油鏡則可用于解析晶體邊緣的細節(jié)，如晶面夾角、解理紋等。

觀察與分析

消光現(xiàn)象觀察：旋轉(zhuǎn)載物臺 0 - 360°，觀察塑料晶體的消光現(xiàn)象。各向異性的塑料晶體每轉(zhuǎn) 90° 會出現(xiàn)一次消光，這是判斷晶體類型和取向的重要依據(jù)。

干涉色分析：根據(jù)晶體厚度和雙折射率，塑料晶體會呈現(xiàn)出不同的干涉色。可結(jié)合石膏試板（λ = 550nm）定量雙折射值，從而進一步分析晶體的結(jié)構(gòu)和性能。

晶體形態(tài)與尺寸測量：記錄晶體的形態(tài)，如球晶、片晶等，并通過徠卡 LAS X 軟件測量晶體的等效圓直徑、長寬比等參數(shù)，統(tǒng)計晶粒度分布。

動態(tài)觀察（如有需要）：如果研究涉及到塑料結(jié)晶過程或晶相轉(zhuǎn)變等動態(tài)變化，可以開啟延時攝影功能，設定合適的拍攝間隔，記錄晶體的生長、變化過程。

注意事項

避免高溫制片，防止塑料晶型轉(zhuǎn)變，影響觀察結(jié)果。

對于厚晶體（＞100μm），使用 λ/4 波片補償光程，避免高階干涉色重疊，以便更清晰地觀察晶體結(jié)構(gòu)。

操作過程中要保持載物臺和樣品的清潔，避免灰塵等雜質(zhì)影響觀察效果。同時，要輕拿輕放樣品和載玻片，防止損壞物鏡和載物臺。